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深圳市中圖儀器股份有限公司

PRODUCT DISPLAY

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白光干涉晶圓3D形貌測量儀

參  考  價: 960000

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價以合同協議為準

產品型號:SuperViewW1

品       牌:CHOTEST/中圖儀器

廠商性質:生產商

所  在  地:深圳市

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更新時間:2025-04-29 11:06:39瀏覽次數:41次

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產地類別 國產 應用領域 環保,能源,電子/電池,電氣,綜合
SuperViewW白光干涉晶圓3D形貌測量儀具有測量精度高、操作便捷、功能齊全、測量參數涵蓋面廣的優點,測量單個精細器件的過程用時短,確保了高款率檢測。白光干涉儀的特殊光源模式,可以廣泛適用于從光滑到粗糙等各種精細器件表面的測量。

SuperViewW白光干涉晶圓3D形貌測量儀可測各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面,從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。SuperViewW具有測量精度高、操作便捷、功能齊全、測量參數涵蓋面廣的優點,測量單個精細器件的過程用時短,確保了高款率檢測。白光干涉儀的特殊光源模式,可以廣泛適用于從光滑到粗糙等各種精細器件表面的測量。

白光干涉晶圓3D形貌測量儀

產品特點

1、干涉物鏡

不通倍率的鏡頭,適應于從超光滑到粗糙度各種表面類型的樣品。

2、雙通道氣浮隔振系統

外接氣源和加壓裝置直接充氣的雙通道氣浮隔振系統,可有效隔離地面傳導的振動噪聲。

3、聲波隔振防護

儀器外殼與內部運動機構采用了分離式設計,有效隔離了聲波振動的傳導。

4、水平調整裝置

傾斜調整旋鈕,調整條紋寬度,提高3D圖像的重建精度。

5、便攜式操縱桿

采用人體工程學設計,集成了XYZ三軸位移和速度、光源亮度的自動控制,并配有緊急停止按鈕。

6、真空吸附臺

專為半導體晶圓片定制的真空吸附臺,確保樣品在測量過程中不受空氣中微弱氣流擾動的影像。

7、3D重建算法

自動濾除樣品表面噪點,在硬件系統的配合下,測量精度可達亞納米級別。


自研3D顯微測量軟件平臺Xtremevision Pro

白光干涉晶圓3D形貌測量儀

Xtremevision Pro

全自主開發的第二代顯微3D測量軟件平臺,集成了圖像掃描、3D分析、影像測量、自動化測量等四個大的功能模塊,能夠適配中圖W系列、VT系列、WT系列所有3D儀器機型,可自主識別機型種類,二合一機型可在白光干涉和共聚焦顯微鏡中做到自動切換掃描模式。

Xtremevision Pro 移植了中圖在影像閃測領域的成功經驗,重構了顯微影像測量功能,可針對微觀平面輪廓尺寸的點、線間的距離、角度、半徑等參數進行直接測量和自動匹配測量。


自動化mark點識別坐標定位自動化功能

白光干涉晶圓3D形貌測量儀

Mark點影像識別自動坐標位置校正,多區域坐標點自動定位測量與分析,可組合式完成粗糙度、輪廓尺寸的批量自動化測量。


自動拼接功能

白光干涉晶圓3D形貌測量儀

支持方形、圓形、環形和螺旋形式的自動拼接測量功能,配合影像導航功能,可自定義測量區域,支持數千張圖像的無縫拼接測量。


SuperViewW白光干涉晶圓3D形貌測量儀具有的測量晶圓翹曲度功能,非常適合晶圓,太陽能電池和玻璃面板的翹曲度測量,應變測量以及表面形貌測量。如針對芯片封裝測試流程的測量需求,SuperViewW1的X/Y方向標準行程為140*100mm,滿足減薄后晶圓表面大范圍多區域的粗糙度自動化檢測、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺階高等微納米級別精度的測量。而SuperViewW1-Pro 型號增大了測量范圍,可覆蓋8英寸及以下晶圓,定制版真空吸附盤,穩定固定Wafer;氣浮隔振+殼體分離式設計,隔離地面震動與噪聲干擾。


晶圓應用案例

硅晶圓的粗糙度檢測

在半導體產業中,硅晶圓的制備質量直接關系著晶圓IC芯片的制造質量,而硅晶圓的制備,要經過十數道工序,才能將一根硅棒制成一片片光滑如鏡面的拋光硅晶圓,如下圖所示,提取表面一區域進行掃描成像。

白光干涉晶圓3D形貌測量儀

如圖,制備好的拋光硅晶圓表面輪廓起伏已在數納米以內,其表面粗糙度在0.5nm左右,由于其粗糙度精度已到亞納米量級,而在此量級上,接觸式輪廓儀和一般的非接觸式儀器均無法滿足檢測要求,只有結合了光學干涉原理和精密掃描模塊的光學3D表面輪廓儀才適用。


晶圓IC的輪廓檢測

晶圓IC的制造過程可簡單看作是將光罩上的電路圖通過UV蝕刻到鍍膜和感光層后的硅晶圓上這一過程,其中由于光罩中電路結構尺寸小,任何微小的粘附異物和瑕疵均會導致制造的晶圓IC表面存在缺陷,因此必須對光罩和晶圓IC的表面輪廓進行檢測。如圖是一塊蝕刻后的晶圓IC,使用光學3D表面輪廓儀對其中一個微結構掃描還原3D圖像,并測量其輪廓尺寸。


晶圓IC減薄后的粗糙度檢測

在硅晶圓的蝕刻完成后,根據不同的應用需求,需要對制備好的晶圓IC的背面進行不同程度的減薄處理,在這個過程中,需要對減薄后的晶圓IC背面的表面粗糙度進行監控以滿足后續的應用要求。在減薄工序中,晶圓IC的背面要經過粗磨和細磨兩道磨削工序,下圖是粗磨后的晶圓IC背面,選取其中區域進行成像分析。

白光干涉晶圓3D形貌測量儀

如圖,粗磨后的表面存在明顯的磨削紋路,而3D圖像顯示在左下部分存在一處凹坑瑕疵,沿垂直紋理方向提取剖面輪廓并經過該瑕疵,在剖面輪廓曲線里可看到該處瑕疵zui大起伏在2.4um左右,而磨削紋理起伏zui大在1um范圍內波動,并獲取該區域的面粗糙度Sa為216nm,剖面線的粗糙度Ra為241nm。

而在經過細磨后,晶圓IC背面的磨削紋理已基本看不出,選取表面區域進行成像分析。

如圖可知,在經過細磨之后,晶圓IC背面的磨削紋理輪廓起伏已經降到36nm附近,其表面粗糙度也已經從200多nm直降到6nm左右。


部分技術指標

型號W1
光源
白光LED
影像系統1024×1024
干涉物鏡

標配:10×

選配:2.5×;5×;20×;50×;100×

光學ZOOM

標配:0.5×

選配:0.375×;0.75×;1×

物鏡塔臺

標配:3孔手動

選配:5孔電動


XY位移平臺

尺寸320×200㎜
移動范圍140×100㎜
負載10kg
控制方式電動
Z軸聚焦行程100㎜
控制方式電動
Z向掃描范圍10 ㎜
主機尺寸(長×寬×高)700×606×920㎜

懇請注意:因市場發展和產品開發的需要,本產品資料中有關內容可能會根據實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。

如有疑問或需要更多詳細信息,請隨時聯系中圖儀器咨詢。


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